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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]介电薄膜、其制作方法及导电插塞-CN202310645608.9有效
发明人：薛翔;张伟;汪民武;林智伟;郭廷晃 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明提供了介电薄膜、其制作方法及导电插塞。该介电薄膜包括非硅基介电膜和掺杂至非硅基介电膜中的氟自由基。其中，由于膜层的介电性与形成膜层的材料的极性有关，即材料的极性越大，膜层的介电常数越小，基于此，在低介电常数的非硅基介电膜中掺杂低极性基团的氟自由基之后，该氟自由基能够增加膜层材料的疏水性，从而减少了膜层材料与空气中的潮气的反应，进而减少了羟基基团等高极性基团的形成，且氟自由基本身为低极性基团，因此，氟自由基对非硅基介电膜的介电性的影响较小，从而能够使得介电薄膜达到理论上的最小k值。
薄膜制作方法导电

[发明专利]介电薄膜、相关制品和方法-CN201010508361.9无效
发明人： X·房;D·Q·谭;曹阳;Q·陈;P·C·欧文 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C08L3/18 文献下载
摘要：本发明描述一种具有氰基树脂介电薄膜的制品。所述氰基树脂介电薄膜包括韧性材料的纳米结构。本发明还描述一种形成这类氰基树脂介电薄膜的方法。本发明提供一种具有氰基树脂介电薄膜的电容器。
薄膜相关制品方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180004429.6在审
发明人：王攀;谢文元;陈泓宇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括衬底、第一和第二氮基半导体层、掺杂的氮基半导体层、栅极电极、第一和第二介电保护层。第二氮基半导体层的带隙大于第一氮基半导体层的带隙。第一和第二介电保护层包括氧。第一介电保护层与由栅极电极、掺杂的氮基半导体层和第二氮基半导体层共同构成的轮廓保持一致。第二介电保护层与第一介电保护层接触。第一介电保护层的氧浓度小于第二介电保护层的氧浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种介电材料-CN201980036623.5在审
发明人：郑志强;陈毓君 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C08K5/02 文献下载
摘要：介电材料，包括该介电材料的器件，以及该介电材料在器件制造中的用途。一种介电材料可以包括与卤素基表面活性剂混合的卤素基弹性体，并且与该卤素基弹性体相比表现出机电自修复特性和/或增加的介电常数。另一种介电材料可以包括与卤素基表面活性剂混合的卤素基聚合物，并且与该卤素基聚合物相比表现出增加的介电常数。
一种材料

[发明专利]一种多层核壳结构石墨烯基介电弹性体复合材料及制备-CN201610829298.6有效
发明人：杨丹;阮梦楠;郭文莉;黄朔;李树新;伍一波;商育伟;王浩 -专利权人：北京石油化工学院
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C08L9/02 文献下载
摘要：本发明公开了属于介电弹性体制备技术领域的一种多层核壳结构石墨烯基介电弹性体复合材料及制备。该复合材料包括弹性体基体、交联体系、多层核壳结构石墨烯基介电填料，其中多层核壳结构石墨烯基介电填料通过高介电陶瓷填料表面包覆一层聚多巴胺层，在聚多巴胺表面接枝一层氧化石墨烯，将氧化石墨烯层还原为石墨烯层而形成将少量多层核壳结构石墨烯基介电填料填充到介电弹性体中，制备出介电弹性体复合材料。该制备方法在保持较小介电损耗的同时，有效提高了介电弹性体的介电常数，解决了陶瓷填料填充弹性体时所需填充量高、复合材料弹性模量大以及介电损耗大、电击穿强度低等问题。
一种多层结构石墨烯基介电弹性体复合材料制备

[发明专利]聚合物基介电材料及其制备方法-CN201910960228.8有效
发明人：李峰;刘侠侠;陶玉红;李露;卢星华;袁启斌 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C08F283/10 文献下载
摘要：本发明提供一种聚合物基介电材料的制备方法以及由该制备方法制得的聚合物基介电材料。在本发明中，通过将环氧树脂预聚物、丁腈橡胶、非极性单体、自由基引发剂和溶剂混合，并与高介电常数无机填料混合均匀，烘干、在100～200℃进行固化，使得混合物中的树脂预聚物、丁腈橡胶、非极性单体在自由基引发剂发生聚合反应，由此形成所需的聚合物基介电材料。所得到的聚合物基介电材料具有超低介电损耗、高介电常数。
聚合物基介电材料及其制备方法

[发明专利]镧钾共掺杂改性的锆钛酸钡基介电陶瓷材料及其制备方法-CN201510529246.2在审
发明人：王显威;刘湘月;石逍;杨娅慧;王小二 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧钾共掺杂改性的锆钛酸钡基介电陶瓷材料及其制备方法，属于功能陶瓷的合成技术领域。本发明的技术方案要点为：一种镧钾共掺杂改性的锆钛酸钡基介电陶瓷材料，是由La和K共掺杂BaZr_0.15Ti_0.85O₃而形成的Ba基介电陶瓷材料的制备方法。本发明明显改善了锆钛酸钡介电陶瓷的耐高压性能与介电性能，有效增大了锆钛酸钡基介电陶瓷材料的击穿电压和介电常数，并且极大降低了锆钛酸钡基介电陶瓷材料的介电损耗。
镧钾共掺杂改性钛酸钡基介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180003508.5有效
发明人：刘阳;杜卫星;王攀;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、经掺杂氮化物基半导体层、栅极电极、第一氮氧化物介电层、第一钝化层、第二氮氧化物介电层、第二钝化层和S/D电极。所述第一氮氧化物介电层安置在所述第二氮化物基半导体层之上，并共形地覆盖所述经掺杂氮化物基半导体层和所述栅极电极。所述第一钝化层安置在所述第一氮氧化物介电层上并与所述第一氮氧化物介电层接触。所述第二氮氧化物介电层安置在所述第一钝化层上并与所述第一钝化层接触。所述第二钝化层安置在所述第二氮氧化物介电层上并与所述第二氮氧化物介电层接触。所述S/D电极穿过，与所述第二氮化物基半导体层接触。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种提高聚合物基复合材料介电性能的方法-CN201811508423.9有效
发明人：杨其;沈烨 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C08L75/04 文献下载
摘要：本发明属于高介电聚合物材料领域，具体涉及一种提高聚合物基复合材料介电性能的方法。本发明提供一种提高聚合物基复合材料介电性能的方法，所述方法为：将聚合物/介电填料共混物采用微注射成型的方法制备聚合物基复合材料。本发明的方法简单易操作，所得复合材料具有高介电常数和较低的介电损耗。
一种提高聚合物复合材料性能方法

[发明专利]一种锂钼共掺杂氧化镍基介电陶瓷材料的制备方法-CN201510184796.5在审
发明人：王显威;邢玲迪;苏留辉;胡艳春;王小二 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂钼共掺杂氧化镍基介电陶瓷材料的制备方法，属于掺杂氧化镍基陶瓷材料的制备技术领域。本发明的技术方案要点为：一种锂钼共掺杂氧化镍基介电陶瓷材料的制备方法，是以Li和Mo为掺杂元素，通过溶胶-凝胶法制得Li和Mo共掺杂的氧化镍基介电陶瓷材料，以此提高了氧化镍基陶瓷材料的介电常数和降低了氧化镍基陶瓷材料的介电损耗，该材料具有非常高的介电常数（频率为100KHz时，ε>10⁵），且介电损耗较小（频率为100KHz时，tanδ=0.45）。
一种锂钼共掺杂氧化镍基介电陶瓷材料制备方法

[实用新型]介电薄膜及介电层结构-CN201721271650.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种介电薄膜及介电层结构，所述介电薄膜包括：基面，其形成有若干羟基(OH键)；以及二元或多元介电薄膜在一原子层沉积层中，包括由第一前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第一部分化学吸附并反应形成的诱电介电材料，以及由第二前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第二部分化学吸附并反应形成的抗漏电流介电材料。本实用新型的流程方式既能减缓电容值降低的现象，也能大幅提升低漏电的特性，从而优化介电层结构的电容特性。
薄膜介电层结构

[发明专利]硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片-CN202011189724.7有效
发明人：陈弈星;唐平大;于钦杭 -专利权人：南京芯视元电子有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片，方法包括：在衬底上淀积第一介电层；刻蚀第一介电层形成第一开口结构；淀积第一金属层填充第一开口结构形成焊盘通孔塞，刻蚀第一金属层形成焊盘结构；在第一金属层上淀积第二介电层和第三介电层；刻蚀第三介电层形成第二开口结构；刻蚀第一介电层和第二介电层，形成第三开口结构；淀积第二金属层填充第三开口结构和第二开口结构，形成像素电极通孔塞和像素电极结构；刻蚀第三介电层和第二介电层露出焊盘结构，完成硅基液晶显示芯片的制造本发明可以使芯片焊盘结构位置低于像素电极位置，芯片整体平整度得到大幅度提高，从而可以精确控制液晶厚度，提高硅基液晶显示芯片性能。
液晶显示芯片制造方法

[发明专利]一种碳纳米管接枝聚偏氟乙烯共聚物复合介电材料及其制法-CN202011478571.8在审
发明人：陆金良 -专利权人：桐乡市创辉科技合伙企业（有限合伙）
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C08F292/00 文献下载
摘要：本发明涉及介电材料技术领域，且公开了一种碳纳米管接枝聚偏氟乙烯共聚物复合介电材料，在三乙胺催化下，羟基化碳纳米管与丙烯酰氯反应，得到烯基化碳纳米管，在碱性环境中，得到烯基化聚偏氟乙烯‑六氟丙烯，烯基化聚偏氟乙烯‑六氟丙烯、甲基丙烯酸甲酯、烯基化碳纳米管共聚，得到碳纳米管接枝聚偏氟乙烯共聚物复合介电材料，促使聚偏氟乙烯‑六氟丙烯的α相向β相转变，小分子量甲基丙烯酸甲酯的引入，进一步促进α相向β相转变，提高了介电性能、储能密度，降低了介电损耗，使得碳纳米管接枝聚偏氟乙烯共聚物复合介电材料具有优异的介电性能和储能密度、较低的介电损耗。
一种纳米接枝聚偏氟乙烯共聚物复合材料及其制法

[发明专利]一种用于制备介电调控纤维增强树脂基复合材料的方法-CN202211303648.7在审
发明人：刘鹏飞;兰天;董立超;袁航;张春波 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B32B38/08 文献下载
摘要：本发明公开一种用于制备介电调控纤维增强树脂基复合材料的方法，涉及介电复合材料技术领域，将树脂基体与溶剂混合配制成树脂溶液，随后将介电调控填料粒子添加至树脂溶液中，制备得到树脂/填料混合分散液；将树脂/填料混合分散液均匀涂覆在纤维织物上，制备得到介电调控纤维织物预浸料；将介电调控纤维织物预浸料裁剪、铺层，并进行真空升温固化成型，制备得到介电调控纤维增强树脂基复合材料。本方法适用于各类纤维增强树脂基复合材料的介电性能调控，同时复合材料保持较优异的力学性能。
一种用于制备调控纤维增强树脂复合材料方法

[发明专利]栅极结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法-CN202111277190.8在审
发明人：沈宇桐 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该栅极结构的制备方法包括：提供基底；于基底上形成叠层结构，所述叠层结构包括层叠的铪基硅酸盐介电层及高k氧化介电层，其中，高k介电层的介电常数大于铪基硅酸盐的介电常数。通过在栅极结构中增加高k氧化介电层，在保证半导体器件中的载流子迁移率不变的同时，增加了层叠结构的EOT；并且，铪基硅酸盐介电层使得高k氧化介电层引入的氧在氧重分布过程中形成铪基硅酸盐介电层中的硅氧键，减小了层叠结构与基底之间低
栅极结构及其制备方法半导体器件

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